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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠；在所述衬底上形成源/漏区和源/漏外延区，所述源/漏外延区与源/漏区相连，且其长度大于所述源/漏区的长度，所述长度为平行于沟道长度的方向上的距离；形...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。