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用作静电放电保护措施的晶体管组件制造技术
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文档序号:8134028
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本发明涉及一种布置在晶体管(25)附近的、用于进行保护防止ESD的二极管(23)。二极管包括第一传导类型的阱(5)和与第一传导类型相对的第二传导类型的掺杂区域(4)。晶体管包括第一传导类型的掺杂阱(2)和掺杂区域(1)。晶体管的阱(2)的掺...
该专利属于ams有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ams有限公司授权不得商用。
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