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本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：SOI衬底和位于所述SOI衬底上的MOSFET；所述SOI衬底自上而下包括SOI层、第一绝缘埋层、半导体埋层、第二绝缘埋层以及半导体衬底，所述半导体埋层中包含背栅区，所述背栅区为所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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