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本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括，SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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