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本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的第一有源区层和第二有源区层，其特征在于，所述第一有源区层和/或第二有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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