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本发明公开了位在第二导电层上的氮化硅层的运用方式，在蚀刻第二导电层后，形成一氧化硅间隙壁，而定义出一间隔，然后形成另一氮化硅层填满前述的间隔，接着，移除氧化硅间隙壁，最后蚀刻第一导电层而分开位元线和单元接触线。...
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