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本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种垂直磁记录材料的制备方法，得到的最终产品的c轴分散角<3°，各项性能得到显著提高。首先选取MgO（111）单晶作为基板，将经充分清洁后的MgO（111）基板放至磁控溅射设备的真空腔内，然后向磁控溅射设备...
该专利属于东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学授权不得商用。

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