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台湾积体电路制造股份有限公司
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大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法技术
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文档序号:8106805
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本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。在示例中,集成电路器件包括:设置在衬底上方的栅结构;设置在衬底中的源区和漏区,其中栅结构介于源区和漏区之间;以及插在栅结构中的至少一个柱状部件。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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