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本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适...该专利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。