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本发明公开了一种非易失性存储胞的结构。一第一隔离结构设置于一基底以及一半导体层之间，以形成一硅覆绝缘结构。第一掺杂区位于部份的半导体层中。一栅极设置在第一掺杂区上。一栅极介电层设置在栅极以及第一掺杂区之间。一第二掺杂区设置在半导体层中并位于...
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