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本发明公开了一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法。该方法将沉积有高K介质材料的支撑片与外延有SiGe层及Si层的器件片键合，并进行键合加固处理，通过背部研磨工艺，去除多余的Si衬底，并通过选择性腐蚀，移除SiGe层，从而可以得...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。