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一种隔离区(142)，所述隔离区(142)包括嵌于半导体基底(100)中的第一凹槽和填充所述第一凹槽的绝缘层，所述第一凹槽包括第一侧壁(122)、底壁和由所述底壁延伸并接于所述第一侧壁(122)的第二侧壁(124)，所述第一侧壁(122)与...
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