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本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施...该专利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过EV集团E·索尔纳有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施...