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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:8047399
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本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:具有主表面的半导体衬底;MONOS型存储器单元,形成于主表面之上并且具有沟道;n沟道晶体管,形成于主表面之上;以及p沟道晶体管,形成于主表面之上。以接触MONOS型存储器单元、n沟...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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