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半导体器件及形成该半导体器件的方法技术
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文档序号:8023497
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半导体器件及形成该半导体器件的方法。一种半导体器件,包括:半导体衬底,具有第一栅沟槽,所述第一栅沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一扩散区,位于所述第一栅沟槽下方;第二扩散区,位于所述半导体衬底中,所述第二扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第...
该专利属于尔必达存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过尔必达存储器株式会社授权不得商用。
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