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根据本发明的SONOS器件单元包括：源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极之间形成有沟槽，ONO结构布置在所述源极和所述漏极之间，且所述ONO结构布置在所述沟槽的侧部和底部，并且所述栅极布置在所述ONO结构上，并且所述栅极填充了所述沟槽...
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