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本发明是一种多量程集成压力传感器芯片，包括硅衬底，在硅衬底上设置两个或两个以上不同量程压力传感器，由腐蚀孔、膜片、应变电阻构成；在膜片上表面设有四个互相对称的应变电阻，四个应变电阻通过导线连接成惠斯通电桥；膜片与硅衬底相连并构成腔体，膜片支...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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