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一种单端操作的亚阈值存储单元电路制造技术
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下载一种单端操作的亚阈值存储单元电路的技术资料
文档序号:8013312
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一种单端操作的亚阈值存储单元电路,设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1~N7,P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1~N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地,N3的栅极与行写控制信号...
该专利属于安徽大学所有,仅供学习研究参考,未经过安徽大学授权不得商用。
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