专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
安徽大学
>
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路制造技术
>技术资料下载
下载一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路的技术资料
文档序号:8013311
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路,包括四个PMOS管P0~P3,六个NMOS管N0~N5,其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器,第一、二反相...
该专利属于安徽大学所有,仅供学习研究参考,未经过安徽大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。