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本申请公开了一种对三维半导体组件进行边缘修整的方法，包括提供基底，基底上包括多个堆栈层，且基底中包括多个穿基底插塞(through?substrate?via，TSV)，其中基底的边缘是弧形；对基底的弧形边缘进行边缘修整步骤，以得到平坦的边...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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