温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及设置于所述上电极和下电极之间的存储介质层。本发明当具有忆阻器特性的半导体器件在高阻态和低阻态之间发生相互转变时，通过控制转变电压的大小可以...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。