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本发明提供一种具有低编译电压捕获电荷的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、含富氮的氮化硅层（32）、氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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