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一种VDMOS器件及其制作方法技术
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文档序号:7838643
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本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法,VDMOS器件包括:第一导电类型衬底,在其背面设置有漏极;第一导电类型漂移区,设置在第一导电类型衬底上;第二导电类型阱区,其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成,与第一导电类型漂移区的导电类...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。
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