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本发明的实施方式提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漏极层；从上述第一导电型的漏极层的表面直到内部地设置为沟槽状的第一导电型的漂移区域；从上述漂移区域的表面直到内部地设置为沟槽状的第二导电型的衬底区域；从上述衬底区域的表面直到内部地设置...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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