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本发明提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后，在使基座(3)的表面露出的状态下，利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空容器...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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