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本发明提供一种分割溅镀靶，其为在接合多个氧化物半导体靶构件而得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要形成的氧化物半导体的薄膜中。本发明为通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，...
该专利属于三井金属矿业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三井金属矿业株式会社授权不得商用。

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