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本公开内容的实施例描述了向诸如水平场效应晶体管等集成电路器件施加应变的技术和配置。集成电路器件包括：半导体衬底；第一阻挡膜，其与所述半导体衬底耦合；量子阱沟道，其耦合至所述第一阻挡膜，所述量子阱沟道包括具有第一晶格常数的第一材料；以及源极结...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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