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通过经由掩模层（31）中形成的第一开口进行离子注入，形成第一杂质区（123）。通过在上面已设置掩模层（31）的蚀刻停止层上沉积间隔层（32），形成具有掩模层（31）和间隔层（32）的掩模部（30）。通过对间隔层（32）进行各向异性蚀刻，在掩...
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