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一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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