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本发明涉及使电损耗减小的SOI型结构的制造方法，所述结构依次包括硅支承衬底（2）、氧化物层（10）、以及半导体材料的薄层（11）。多晶硅层插在支承衬底与氧化物层之间，所述方法包括以下步骤：a）氧化半导体材料施主衬底（1），以在其表面上形成氧...
该专利属于SOITEC公司所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司授权不得商用。

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