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本发明的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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