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用于制造半导体器件的方法包括在半导体基板上形成多个栅极结构。将多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在线路之间的端间间隙小于在线路之间的线间间隔。该方法进一步包括：在栅极结构的上方形成蚀刻停止层，在栅极结构的上方形成层间电介质，以及在形成层间...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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