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本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括以下步骤。在基底上形成第一含硅导电材料。在第一含硅导电材料上形成第二含硅导电材料。第一含硅导电材料与第二含硅导电材料具有不同的掺杂质条件。热氧化第一含硅导电材料与第二含硅导电材料，以使第一...
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