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本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法及其应用。在约30Pa的氧气气氛中利用脉冲激光烧蚀纯度大于等于99.9%金属钴靶材，在Mo基片上溅射沉积制备Co3O4薄膜电极材料，基片温度为250℃。此法制得的Co3O4薄膜电化学...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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