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本发明提供一种具有改进BE-SONOS结构的器件，包括具有源/漏区的硅衬底，所述硅衬底上设有多层结构栅极，栅极两侧设有侧墙，所述多层结构栅极从下往上分别是氧化硅层（O1）、氮化硅层（N1）、含氮氧化硅层（SiON）、陷阱氮化硅层（N2）、阻...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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