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本申请公开了一种环栅场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成悬空鳍片；在所述鳍片的四周形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，与所述鳍片和栅堆叠结构的底部相邻的半导体衬底中包括隔离介质层。本发明在体硅衬底上...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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