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本发明公开了一种高迁移率CMOS集成单元，属于半导体集成技术领域。该高迁移率CMOS集成单元将高电子迁移率的铟镓砷NMOSFET和高空穴迁移率的锗PMOSFET平面集成在单晶硅衬底上，可以实现具有不同沟道材料且特性优异的集成CMOS器件，具...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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