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本发明提供一种降低P型涂敷源工艺的P/N结电容和漏电的方法，包括步骤：提供位于晶圆上的N型衬底，其上有N型外延层；在N型外延层上生长氧化层，后开出窗口；在晶圆表面涂敷P型乳胶掺杂源；对晶圆作热处理，将P型乳胶掺杂源中的P型杂质通过窗口作预扩...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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