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一种分栅闪存单元制造方法，包含：提供衬底，所述衬底包含至少两个第一区域和位于第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面形成有隧穿层、纳米晶层、阻挡层、控制栅；在第二区域衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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