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为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设...
该专利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡尔蔡司SMT有限责任公司授权不得商用。

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