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提高静电保护器件维持电压的方法技术
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文档序号:7567577
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公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法,包括:首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件;然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件,用于抑制可控硅自身的正反馈,提升可控硅作为静电保护器件时的维...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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