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制备硅基砷化镓材料的方法技术
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文档序号:7561002
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一种制备硅基砷化镓材料的方法,包括以下步骤:在硅衬底1上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出沟槽;分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;采用MOC...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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