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本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；栅极堆叠结构左右消除了传统的隔离侧墙；源漏区，位于栅极堆叠的两侧的衬底区；外延生长的金属硅化物，位于源漏区上；其特征在于：外延生长的金属硅化物直接与栅极...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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