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本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，在半导体器件的栅极及源极、漏极上沉积一层薄氧化物层，其中，包括以下步骤：在第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积一层氮化硅薄膜层；在反应腔室内...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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