温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种准单晶硅片的制绒方法，其特点在于包括以下步骤：首先，采用湿法刻蚀方法去除以晶粒为主的准单晶硅片上的机械损伤层。之后，根据晶粒所占比例，采用等离子体刻蚀与反应离子刻蚀进行准单晶制绒。由此，等离子刻蚀和反应离子刻蚀无需去离子水，化...
该专利属于江苏腾晖电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏腾晖电力科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。