下载与CMOS工艺兼容的槽屏蔽共面带状线的技术资料

文档序号:7355325

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本发明提供一种带状线,所述带状线包括:接地层,在上述衬底上方延伸穿过多个介电层;信号线,在上述衬底的上方,并且位于上述接地层的一侧;第一多条金属带,在上述信号线的下面,并且位于第一金属层中,其中上述第一多条金属带彼此平行,并且彼此以间隔隔开...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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