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III族氮化物半导体激光二极管制造技术
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文档序号:7351490
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提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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