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一种半导体器件，提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；浅沟槽隔离，嵌于半导体衬底中，且形成至少一个半导体开口区；沟道区，位于半导体开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅极导体层，位于沟道区上方；源/漏区，位于沟道区的两...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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