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本发明的实施方式提供一种半导体器件及其制造方法。在MOS型半导体器件的制造方法中，在作为Si层的一部分且被源极/漏极区域夹着的沟道区域上隔着栅极绝缘膜形成栅极电极，之后至少在源极/漏极区域上生长以Ge为主成分的膜，接着通过使以Ge为主成分的...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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