温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种异质结构场效晶体管及其制作方法，其中所述晶体管的改良结构包括有基板、通道层、间格层、δ掺杂层、萧基层、高能隙萧基覆盖层、穿隧层、第一蚀刻终止层以及第一n型掺杂覆盖层。所述制作方法则包括以下步骤：使用第一蚀刻制程对n型掺杂覆盖层...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。